反應腔體：橫流模式的單腔反應腔/噴淋模式的雙腔反應腔 等離子體產生方式：電容式CCP/電感耦合ICP 襯底規格：4-8寸單片；三維復雜襯底/粉末與顆粒/多孔及高縱深比材料；RT-400 oC，控制精度±0.5 oC@單腔；RT-500 oC，控制精度±0.5 oC@雙腔 閥門：Swagelok專用ALD閥門，耐熱溫度200 oC 前驅體源：液態、固態、氣態以及臭氧源，容器標準50 mL揮發式容器和100 mL載氣輔助式容器，其他規格可定制；最高可配備8路前驅體源 等離子體氣源：H2/O2/NH3/ N2 載氣：Ar，質量流量控制器 管路源容器加熱溫度：配可拆卸加熱套，RT-250 oC，控制精度±0.5 oC 真空系統：油泵、防腐油泵、干泵可選 壓力傳感器：檢測范圍1000-2.3*10-4 Torr 真空管路：烘烤至200℃，且真空泵前級配置熱阱，加熱溫度300℃ 控制：觸摸屏+PLC 機柜：可移動鋁型材框架，不銹鋼面板 尺寸：1280*800*1720mm 選配：臭氧發生器/粉末沉積盤/手套箱耦合/QCM；尾氣處理裝置