一、產品概述

1、適用范圍：適合于各單位實驗室、高等院校實驗室、教學等的項目科研、產品中試之用。

2、產品優點及特點：設備采用熱絲化學氣相沉積技術，已應用于國內多家用熱絲法生產金剛石的生產線上。該設備已生產出大尺寸片狀多晶金剛石厚膜，填補了國內空白，并獲得了非?？捎^的經濟效益。該系列設備適合于工業化生產也非常適合于科研、教學和產品中試之用。

3、主要用途：用于生長毫米級金剛石厚膜、金剛石薄膜、類金剛石膜、氮化硅和氧化硅膜等。在切削刀具、鉆頭、絲錐等表面沉積納米金剛石薄膜、微晶金剛石薄膜。也可制備摻硼金剛石電極、BBD電極、金剛石電極薄膜等。

二、技術參數

型號:HF600

真空腔室結構:立式前開門結構，后置抽氣系統，雙層水冷

真空腔室尺寸:Φ600×H500mm

基片臺尺寸:Φ200mm

襯底溫度:600~1100℃

電源:DC

控制方式:PC+PLC+觸摸屏控制

占地面積:主機L1620×W1060×H1900mm

總功率:≥43KW

一、產品概述

1、適用：大專院校、科研院所及企業進行薄膜新材料的科研與小批量制備。

2、產品特點/用途：

?設備可濺射/蒸發兩用；占地面積小，價格便宜，性能穩定，使用維護成本低；

?可用于制備單層及多層金屬膜、介質膜、半導體膜、磁性膜、傳感器膜及耐熱合金膜、硬質膜、耐腐蝕膜等；

?鍍膜示例：銀、鋁、銅、鎳、鉻、鎳鉻合金、氧化鈦、ITO、二氧化硅等；

?單靶濺射、多靶依次濺射、共同濺射等功能。

二、技術參數

型號：JCP500

真空腔室結構：立式前開門結構，后置抽氣系統

真空腔室尺寸：Φ500×H420mm

加熱溫度：室溫～500℃

濺射方式：上下濺射可選

旋轉基片臺：Φ150mm

膜厚不均勻性：Φ100mm范圍內≤±5.0%

濺射靶/蒸發電極：Φ3英寸磁控靶3支，兼容DC/MF/RF濺射

工藝氣體：2~3路氣體流量控制

控制方式：PLC+觸摸屏人機界面半自動控制系統

占地面積：(主機）L1900×W800×H1900mm

總功率：≥10KW

一、產品概述

1、適用：大專院校、科研院所及企業進行薄膜新材料的科研與小批量制備。

2、產品特點/用途：

?設備一體化設計，占地面積小，性價比高，性能穩定，使用維護成本低；

?適用于實驗室制備金屬單質膜、半導體膜、有機膜，也可用于生產線前期工藝試驗等；

?適用于制備光學薄膜、導電薄膜、半導體薄膜、鐵電薄膜等。

二、技術參數

型號:TEMD500

真空腔室結構:立式圓柱形側開門結構，后置抽氣系統

真空腔室尺寸:Φ500×H650mm

加熱溫度:室溫～300℃

旋轉基片臺:平板型Φ200mm

膜厚不均勻性:≤±5.0%

考夫曼離子源:可選

蒸發源:電子槍8KW，6穴坩堝 國產進口可選，配3-3組電阻蒸發

控制方式:PLC+觸摸屏人機界面半自動控制系統

占地面積:長×寬 L2500×W1600mm

總功率:≥17KW

一、產品概述

1、適用：大專院校、科研院所及企業進行薄膜新材料的科研與小批量制備。

2、產品特點/用途：

? 設備一體化設計，占地面積小，價格優惠，性能穩定，使用維護成本低；

? 設備配備4～6組蒸發源，兼容有機蒸發與無機蒸發，多元共蒸獲得復合膜/分蒸獲得多層膜，功能強大，性能穩定；

? 適用于實驗室制備金屬單質膜、半導體膜、有機膜，也可用于生產線前期工藝試驗等；

? 適用于蒸發鍍膜與手套箱環境有機融合，實現蒸鍍、封裝、測試等工藝無縫對接，廣泛用于鈣鈦礦太陽能電池/OPV有機太陽能電池及OLED薄膜等研究系統等。

二、技術參數

型號：ZHDS400

鍍膜方式：多源蒸發鍍膜

真空腔室結構：方箱式前后開門；配置手套箱

真空腔室尺寸：L400×W440×H450mm

加熱溫度：室溫～300℃

旋轉基片臺：120mm×120mm

基片臺升降：手動調節升降高度0～80mm

膜厚不均勻性：≤±5.0%

蒸發源：2組金屬源，2～4組有機源

控制方式：PLC/PC自動控制系統可選

占地面積：主機L1100×W780×H1800mm，手套箱尺寸定制

總功率：≥10KW